化学品氧化铝家族庞大成员众多特性各异，制备条件也各不相同，例如α-氧化铝须约1300℃高温煅烧制备；γ-氧化铝通常在500℃左右较低温度下烧成；掺杂改性氧化铝为满足应用须引入其他元素（如铁、铬、镧等）；高纯氧化铝则恰恰相反，必须尽可能避免外部杂质混入……这都让煅烧工序对载具提出了非常大的挑战。

采用传统球磨（砂磨）工艺制备高纯氧化铝（4N、5N）超细粉体所面临的最大挑战在于——如何避免引入杂质。常见应对除了使用氧化铝衬底、涂层对研磨腔和输送管道处理，还必须使用高纯氧化铝球作为研磨介质，而进口研磨介质（每公斤）的价格高达数千元，国产替代产品也要大几百——以每吨产品磨耗5kg计算，生产成本高达万元上下。

近日，先进陶瓷期刊（Journal of Advanced Ceramics）发表了一项由湖北工业大学、中科院福建材料结构研究所、江西多功能氧化锆材料工程研究中心和武汉理工大学材料合成与加工先进技术国家重点实验室科研人员的新发现，利用氧化铝掺杂实现氧化钇稳定氧化锆陶瓷低温烧结，并证实了烧结动力机理。

湿化学法制备粉体材料是在水或者水溶液中利用化学反应制备均一稳定的前驱体，经后续处理后得到预期粉体的方法，由于可实现分子/原子尺度水平上的混合，可制备出粒度分布窄、形貌规整、反应活性较高的粉体材料，在工业生产上应用广泛。不过在制备过程中，沉淀反应过程会产生大量Cl-和SO42-等酸根离子，对粉体性能会带来很大的影响，所以必须经过过滤洗涤等步骤去除。

随着工业技术的发展，微纳米粉体由于存在特殊的体积效应和表面效应，其光学、磁学、声学、电学和力学等性质与常态有很大差异，被用作许多功能新材料的关键性基础原料，与之相对应的微纳米粉体加工技术也得到了空前的发展。气流粉碎机（气流磨）利用高速气流使物料与冲击部件发生碰撞、冲击、剪切等作用，不仅可以制备出粒度细、分布窄，颗粒表面整洁光滑、粒形规整、分散性好、活性高的微纳米粉体，而且整套粉碎系统为整套系统密闭粉碎模式，减少粉尘污染，同时粉碎物料被污染的程度小。

随着国内高新技术产业的不断发展，对高纯氧化铝杂质控制要求越来越高，当前，针对Na2O、Fe2O3、SiO2等杂质都有了相应的除杂工艺和措施。不过由于目前这些工艺都较为繁琐复杂，后续还需要不断地进行优化和改进，进一步提高高纯氧化铝的生产量。

目前全球半导体晶圆静电吸盘市场由SHINKO（新光电气）、TOTO、NGK、京瓷等日本企业高度垄断，我国静电吸盘行业发展时间较短，尚处于起步阶段。当前，除了需要进一步开发更高纯度、更高性能的原料陶瓷粉以及更高效稳定的生产工艺外，还需要考虑各种特定应用场景的需求对结构进行优化设计，满足承载晶圆规格尺寸逐步增大、温度均匀性控制需求的提升。

该技术提供了一种节能的替代方法，可以设计出具有定制成分和特性的各种致密块体范德华材料。该方法适用于多种二维材料，包括MXene和过渡金属二硫化物。此外，无添加剂的范德华材料有助于实现二维材料基聚合物复合材料失效的高温应用。

这项研究的结果为通过将新型BNMR作为第二相来增强Al2O3基陶瓷基材的性能提供了宝贵的见解。这些改进对于电路基板和需要具有改进的机械性能和导热性的高性能材料的相关领域的潜在应用具有重要意义。

四川六方钰成电子科技有限公司是一家从事高性能电子陶瓷基板、厚薄膜混合集成电路研发及生产的科技创新型企业，其技术团队由出身清华大学、在该领域有多年研究经验的刘总带领，主要产品包括99.6%氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、陶瓷热沉、薄膜无源器件、HTCC材料及封装基板等，广泛应用于射频微波、光通信、汽车电子、医疗电子等领域。

采用NaOH水溶液对研磨型AlN基板表面进行腐蚀，无损去除了AlN基板表面覆盖的破碎晶粒和微裂纹，使表面组织均一、结构致密。使用经腐蚀后的AlN基板制备的AlN⁃AMB覆铜板界面反应层连续、气孔率降低，相比处理前剥离强度最高提升了83.7％。 该方法简单高效，成本较低，便于后期生产推广。然而，腐蚀后AlN基板的表面粗糙度提高，表面积增大，导致焊料中活性元素Ti在基板表面分布不足，造成界面反应层较薄，通过增加焊料中的Ti元素，剥离强度仍有进一步提升的空间。

导读：日前，工信部发布其编制完成2024年第一批行业标准制修订计划，共安排行业标准制修订计划544项。其中制定373项，修订171项。其中部分设计功能粉体、先进陶瓷等先进材料产品及检测方法的项目